Technologia X-NAND obiecuje pamięci QLC o prędkościach SLC

Technologia X-NAND obiecuje pamięci QLC o prędkościach SLC

Podczas Flash Memory Summit 2020 dyrektor generalny NEO Semiconductors, Andy Hsu, zaprezentował nowatorską technologię NAND, która zapewni lepsze prędkości i większe zagęszczenie. Ta nazywana X-NAND w końcu została zatwierdzona  i opatentowana.

Technologia X-NAND to nowatorskie podejście do rozwoju pamięci NAND, zaprojektowane przez NEO Semiconductor (firma z doliny krzemowej z siedzibą w San Jose, założona w 2012 roku). Do tej pory firma otrzymała ponad 20 patentów związanych z pamięcią i pracuje nad kolejnymi. Rozwiązanie to ma na celu uzyskanie prędkości Single-Level Cell (SLC) i zapewnienie pojemności pamięci flash Quad-Level Cell (QLC) NAND, a wszystko to przy zachowaniu jak najmniejszej możliwej formy. 

X-NAND to w zasadzie połączenie dwóch światów, w których technologia wykorzystuje bity z SLC i QLC, aby połączyć je w jedno rozwiązanie NAND.

W porównaniu z konwencjonalnymi konstrukcjami komórek (multi-level cell), X-NAND zmniejsza rozmiar bufora kości flash o 94 procent, co pozwoliłoby producentom zwiększyć liczbę płaszczyzn z 2-4 do 16-64 na kość. Umożliwia to większą równoległość odczytów i zapisów na kości NAND, co z kolei może prowadzić do zwiększenia wydajności nawet dla SLC NAND. W porównaniu z QLC X-NAND pozwoli - przynajmniej teoretycznie - na 27-krotnie szybszy odczyt sekwencyjny, 15-krotnie szybszy zapis sekwencyjny i 3-krotnie większą prędkość odczytu/zapisu losowego. Jednocześnie nowa technologia skutkuje mniejszym rozmiarem kości NAND o niższym zapotrzebowaniu na energię, co pozwoli utrzymać koszty produkcji takie same jak w przypadku QLC. Wytrzymałość to bardziej skomplikowana kwestia, chociaż firma twierdzi, że TLC i QLC mogą otrzymać poprawę w tym zakresie.

X-NAND to w zasadzie połączenie dwóch światów, w których technologia wykorzystuje bity z SLC i QLC, aby połączyć je w jedno rozwiązanie NAND o wysokiej wytrzymałości, prędkości i pojemności. Poniżej znajduje się tabela szacowanej wydajności NEO, podkreślająca potencjał jej rozwiązania. Osoby, które chcą zagłębić się w szczegóły, w tym na temat gęstości i wytrzymałości, mogą zapoznać się z 16-stronicową białą księgą udostępnioną przez firmę.

Wielki test wysokowydajnych dysków SSD M.2 PCIe 3.0

Nie da się ukryć, że potrzebujemy pojemnej, szybkiej pamięci masowej, a X-NAND wydaje się idealnym wyborem do zwiększania pojemności i wydajności nośników danych, przy czym największe ulepszenia odnotujemy w zastosowaniach takich jak 5G i AI/ML. Firma nie produkuje chipów opartych na technologii X-NAND, ale raczej zapewnia producentom pamięci możliwość tworzenia własnych rozwiązań. NEO Semiconductor ma nadzieję, że udzieli licencji na X-NAND niektórym dużym producentom pamięci, takim jak Samsung, SK Hynix i Micron. Spowodowałoby to lepsze przyjęcie X-NAND na rynku, ponieważ tacy gracze mają możliwości produkcyjne i środki, aby wprowadzić nową technologię na rynek.

Zobacz także:

Pokaż / Dodaj komentarze do: Technologia X-NAND obiecuje pamięci QLC o prędkościach SLC

 0