UltraRAM - nowy przełom w połączeniu RAM i pamięci masowej. To może być rewolucja

Pamięć operacyjna i pamięć masowa działały jako oddzielne jednostki urządzenia komputerowego. Producenci próbowali połączyć zalety pamięci RAM i NAND w jednym pakiecie, ale z ograniczonym sukcesem. Nowy typ pamięci nieulotnej o nazwie UltraRAM wykazuje naprawdę duży potencjał, ale minie trochę czasu, zanim będzie można go zintegrować z komercyjnymi produktami.

Łączenie pamięci o dostępie swobodnym (RAM) i pamięci masowej nie jest nowym pomysłem, ale jak dotąd żadnej firmie nie udało się zmaterializować tego pomysłu w odnoszący sukcesy, szeroko stosowany komercyjny produkt. Nie oznacza to jednak, że porzucono ten pomysł. Na początku tego miesiąca naukowcy z Wydziału Fizyki i Inżynierii Uniwersytetu Lancaster w Wielkiej Brytanii opublikowali artykuł szczegółowo opisujący ważne postępy, które mają przybliżyć UltraRAM do masowej produkcji.

Łączenie pamięci o dostępie swobodnym (RAM) i pamięci masowej nie jest nowym pomysłem, ale jak dotąd żadnej firmie nie udało się zmaterializować tego pomysłu w odnoszący sukcesy, szeroko stosowany komercyjny produkt.

Technologia UltraRAM jest opisywana jako pamięć, która „łączy nieulotność pamięci do przechowywania danych, takiej jak flash, z szybkością, energooszczędnością i wytrzymałością pamięci roboczej, takiej jak DRAM”. Jeśli brzmi to znajomo, to dlatego, że Intel próbował już wypełnić lukę między pamięcią RAM a pamięcią flash za pomocą technologii Optane, choć z ograniczonym sukcesem. Samsung ma coś, co nazywa się Z-NAND, a Kioxia i Western Digital również chcą zintegrować XL-FLASH z przyszłymi rozwiązaniami pamięci masowej dla konsumentów i przedsiębiorstw.

Materiały użyte do produkcji UltraRAM to te same złożone półprzewodniki, które są używane w urządzeniach optoelektronicznych, takich jak diody LED, lasery, fotodiody i fototranzystory. Najnowszym przełomem dokonanym przez naukowców stojących za tą technologią była poprawa jego wydajności w przypadku zbudowania na substratach krzemowych, w przeciwieństwie do wafli z arsenku galu, które potrafią być nawet 1000 razy droższe. Oznacza to, że UltraRAM może być opłacalnym rozwiązaniem, które doczeka się komercjalizacji. Naukowcy twierdzą, że prototypowe urządzenia, które przetestowali, mogą zapewnić 1000 lat przechowywania danych i „wytrzymałość bez degradacji” w ponad 10 milionach cykli programowania/kasowania. Już tylko ta liczba prawdopodobnie wystarczy, aby wzbudzić zainteresowanie firm technologicznych, zwłaszcza jeśli pamięć może być tak szybka, jak tradycyjny RAM.

Kolejną zaletą tej nowej technologii jest wykorzystanie efektu mechaniki kwantowej tunelowania rezonansowego w celu umożliwienia przełączenia bariery z nieprzezroczystej na przezroczystą po przyłożeniu napięcia. Proces ten jest bardzo energooszczędny w porównaniu z technologiami przełączania używanymi w pamięci RAM i pamięci flash, dzięki czemu może prowadzić do lepszych urządzeń mobilnych, które będą działać dłużej przy zasilaniu na baterii.

Ten sam proces pozwala na bardzo kompaktową architekturę o dużej gęstości bitowej, co teoretycznie powinno pozwolić producentom na upchnięcie większej pojemności pamięci w jednym chipie. Naukowcy z Lancaster University powiedzieli, że muszą jeszcze ulepszyć proces wytwarzania komórek pamięci, ale mimo to jest to interesująca technologia o dużym potencjale przetwarzania w pamięci, ponieważ usunęłaby potrzebę przesyłania danych w tę i z powrotem między procesorem, pamięcią masową i pamięcią operacyjną.

Zobacz także:

• Auta Hondy złapały pluskwę milenijną 22 lata później. Naprawa błędu Y2K22 zajmie wiele miesięcy
• QNAP: Zabezpiecz, albo odłącz swój NAS od sieci. Trwają zmasowane ataki ransomware i brute force
• Pakistan wzywa giełdę kryptowalut Binance do wyjaśnień w sprawie wielomilionowego przekrętu