Z-NAND - alternatywa Samsunga dla 3D XPoint zapowiada się coraz ciekawiej

Intel kilka lat temu ogłosił współpracę z Micronem, czego owocem są pamięci 3D XPoint wykorzystywane w produktach z serii Optane od Niebieskich. To jednak nie jedyna przełomowa technologia w zakresie nośników danych, jaka zamieszać ma na rynku, ponieważ Samsung szykuje odpowiedź w postaci Z-NAND.

Samsung to jeden z największych graczy na tym rynku i koreański gigant ma stosowne środki, by pozwolić sobie na opracowanie nowej technologii. W tym przypadku nie będzie to jednak zupełna nowość, ponieważ Z-NAND stanowić ma powrót do korzeni, czyli SLC (Single-Level Cell - każda komórka może przechować pojedynczy bit informacji), ale z nowoczesnym kontrolerem i usprawnieniami, które przełożyć mają się na lepsze osiągi IOPS zarówno w zakresie sekwencyjnego, jak i losowego transferu danych. Warto przypomnieć, że technologia SLC była już szeroko stosowana na rynku dysków SSD, ale chociaż jest to najwydajniejsze i najtrwalsze rozwiązanie, to jednak okazało się także najdroższe, przez co producenci postawili na tańsze pamięci MLC i TLC.  

Intel w przypadku pamięci 3D XPoint chwali się bardzo niskimi, nawet 10x niższymi opóźnieniami (na poziomie 10/10μs), ale Z-NAND także zapewniać ma ten parametr na poziomie, który dotychczas nie był widziany w przypadku pamięci NAND, a mianowicie 12-20/16μs. Porównując dysk Intel Optane P4800X 750 GB z Samsung SZ985 800 GB bazującym na Z-NAND zauważymy, że produkt Koreańczyków dostarcza wyższy wskaźnik losowego odczytu IOPS (750K vs 550K), ale wypada gorzej w przypadku zapisu IOPS (175K vs 550K). Przepustowość zapisu/odczytu zdaje się wypadać na korzyść technologii Z-NAND, ponieważ wynosi ona w SZ985 3,2 GB/s dla obu parametrów, natomiast w Optane P4800X jest to 2,4 GB/s odczytu i 2 GB/s dla zapisu. Z kolei wytrzymałość obu technologii powinna kształtować się na podobnym poziomie. Nie pozostaje nam więc nic innego jak wyczekiwać premiery nowych nośników Samsunga.