Gigabyte GP-UD850GM - test zasilacza remedium na serię P

Analiza elektroniki Gigabyte UD850GM (strona pierwotna)

Etap filtrowania zaczyna się na wtyku zasilania, gdzie bezpośrednio do niego przylutowano niewielkie PCB z dwoma kondensatorami ceramicznymi typu Y (niebieskie), jednym Cx. Dodatkowo na przewodach AC mamy dławik ferrytowy.

Kolejny etap filtrowania znajduje się na głównym laminacie, gdzie mamy:

• kolejne dwa kondensatory ceramiczne Cy,
• dwie cewki z rdzeniem ferrytowym,
• warystor,
• kondensator poliestrowo-metalizowany typu X (żółty).

Etap filtracji napięcia wejściowego jest dobry. Za tą sekcją znajduje się radiator z dwoma 15-amperowymi mostkami prostowniczymi GBU 1506, które są dodatkowo chłodzone radiatorem.

W układzie APFC mamy dwa wysokonapięciowe kondensatory filtrujące japońskiej Nippon Chemi-Con serii KMW, o pojemności 820 µF na 400 V i certyfikowany do pracy przy maksymalnej temperaturze 105 °C. Jego żywotność wynosi 2000 godzin.

W układzie aktywnego PFC znajdziemy trzy MOSFETy Wuxi New Clean Energy NCE65TF099. Cechują się one parametrem RDS(on) na poziomie 89 mΩ i mogą dostarczyć do 38 A w trybie ciągłym przy 25 °C. Ponadto mamy jedną 8-amperową diodę Schottky’ego CREE C3D08060A.

Za sekcją kluczowania mamy elementy układu rezonansowego, zaraz pod transformatorem termistor NTC i przekaźnik obejściowy jako zabezpieczenie przed dużymi prądami rozruchowymi.

Na kolejnym radiatorze zainstalowano cztery tranzystory kluczujące działające w topologii pół mostu Wuxi New Clean Energy NCE65TF099. Cechują się one parametrem RDS(on) na poziomie 89 mΩ i mogą dostarczyć do 38 A w trybie ciągłym przy 25 °C. 

Kontroler PFC Champion CM6500UNX umiejscowiono na rewersie PCB. Kontroler rezonansowy CM6901X znajduje się na stronie lutowania.

Za radiatorem znajduje się kontroler PWM układu 5 Vsb PR8109T. Za obwód 5 Vsb odpowiada 10-amperowa dioda JF Semiconductor SP10U45L-T SBR