Micron ujawnia plany odnośnie pamięci GDDR7. Pierwsze moduły w 2024 roku, szybsze w 2026

Micron zaprezentował nowy harmonogram wydawniczy obejmujący pamięci GDDR7. Ten zwiastuje kości 16–24 Gb o prędkości 128 GB/s (32 Gb/s) w 2024 r., natomiast szybsze warianty pojawią się w 2026 r., oferując większe pojemności i prędkości 144 GB/s (36 Gb/s).

Plany Microna

Micron właśnie przedstawił swój plan działania dotyczący pamięci VRAM obejmujący technologię dla kart graficznych do 2028 roku, w tym kości GDDR7 i HBM4E. Producent ma już pamięć GDDR6X pracującą z szybkością do 24 Gb/s (ta debiutowała na rynek osiągając 21 Gb/s). Jednak w 2024 roku zobaczymy nową pamięć GDDR7 o znacznie większej przepustowości 32 Gb/s i 16–24 Gb kości osiągające 128 GB/s, natomiast szybsza pamięć GDDR7 pojawi się w 2026 r., uzyskując 36 Gb/s i ponad 24 Gb kości o 144 GB/s.

Micron zaprezentował nowy harmonogram wydawniczy obejmujący pamięci GDDR7.

GeForce RTX 50 z GDDR7

Należy się spodziewać, że karty graficzne nowej generacji z serii GeForce RTX 50 od NVIDII będą korzystać z nowej pamięci GDDR7 Microna, dysponującej przepustowością 32 Gb/s. Karta graficzna nowej generacji GeForce RTX 5090 powinna być wyposażona w 512-bitową magistralę o imponującej przepustowości wynoszącej 1,5 TB/s, a to za sprawą znacznie szybszej pamięci GDDR7.

HBM3E i HBM4E

Micron będzie w 2024 r. miał także pamięć HBM3E zorientowaną na sztuczną inteligencję i centra danych w stosach 8-High, natomiast pamięci HBM3E w stosach 12-High zostaną dostarczone pod koniec 2024 r. i w 2025 r. HBM3E na starcie oferować ma pojemność do 24 GB i ponad 1,2 TB/s przepustowości, podczas gdy 12-stosowe wersje pamięci HBM3E można skalować do 36 GB przy tej samej przepustowości.

Następnie Micron wypuści pamięć HBM4 nowej generacji w stosach 12-High i 16-High, które będą dostępne w wyższych pojemnościach od 36 GB do 48 GB i z przepustowością pamięci przekraczającą 1,5 TB/s. Debiut tych pamięci spodziewany jest pod koniec 2025 r. i rozciągnie się aż do 2027 r., kiedy to zostanie wprowadzony wariant HBM4E o pojemności od 48 GB do 64 GB w stosach 12-High i 16-High z przepustowością pamięci przekraczającą 2 TB/s.