Nowy patent Intela ujawnia technologię, która pomoże zejść poniżej 3 nm

Od lat mierzymy rozmiary elementów układów scalonych w nanometrach, ale zapewne część naszych starszych czytelników pamięta jeszcze czasy, kiedy po raz pierwszy mówiliśmy o mikroprocesorach wytwarzanych w rozmiarze submikronowym. Warto przypomnieć, że jeden mikron to jeden mikrometr lub tysiąc nanometrów.

Wygląda na to, że jesteśmy u progu kolejnej zmiany jednostki miary w produkcji mikroprocesorów w ciągu najbliższych kilku lat, tym razem z nanometrów do angstremów. Jeden angstrem odpowiada jednej dziesiątej nanometra. Ta jednostka jest najczęściej używana do pomiaru szerokości fal światła widzialnego, więc mowa o ekstremalnie małych tranzystorach. 

Wygląda na to, że jesteśmy u progu kolejnej zmiany jednostki miary w produkcji mikroprocesorów w ciągu najbliższych kilku lat, tym razem z nanometrów do angstremów.

W ostatnich latach wiele osób do znudzenia trąbiło o końcu Prawa Moore'a, ale Intel nie jest jeszcze gotowy, aby z niego zrezygnować, tym bardziej że to nazwane było na cześć jego współzałożyciela Gordona Moore'a. Obecny dyrektor generalny i były dyrektor ds. technicznych Pat Gelsinger przypomniał o tym w grudniu ubiegłego roku. Wcześniej, w lipcu, firma opublikowała slajdy przedstawiające litografie o nowych nazwach, które zdają się nieco wprowadzać w błąd (np. Intel 7 to 10 nm). Najbardziej interesująca część tego ogłoszenia znajdowała się jednak po przeciwnej stronie slajdu, gdzie producent mówił, że jego kolejny proces po Intel 3 będzie nosił nazwę Intel 20A.

„20A” odnosi się do 20 angstremów lub 2 nanometrów. Intel opisał swoją technikę wytwarzania tranzystorów o tym rozmiarze jako technologię zwaną RibbonFET i stwierdził, że wkrótce potem pojawi się 18A, z udoskonaleniami designu z 20A. Jakimi udoskonaleniami? Cóż, może coś podobnego do tego, co opisano w nowym patencie Intela, który właśnie opublikował USPTO. Złożony 26 czerwca 2020 r. dokument opisuje metodę wytwarzania „tranzystorów z ułożonymi w stosy arkuszami widłowymi”.

Termin „arkusz widłowy” brzmi znajomo, ponieważ wcześniej pojawił się w publikacji belgijskiego Imec. Ten dokument z 2019 roku opisuje strukturę, która brzmi bardzo podobnie do techniki, którą właśnie opatentował Intel. Z ujawnionych informacji wynika, że to podejście nie różni się zasadniczo od tego, co już robią Intel i inni producenci, na przykład w przypadku RibbonFET firmy Big Blue. Zasadniczo, technologia ułożonego w stos arkusza widłowego wykorzystuje istniejący nanoarkusz z bramką dookoła i wstawia ścianę (z materiału dielektrycznego) między bramką P i urządzeniami z bramką N. Pozwala to na znacznie węższe odstępy między bramkami.

Patent Intela nie zawiera informacji dotyczących wydajności, skalowalności, wydajności czy czegokolwiek innego, ale artykuł Imec dostarcza więcej informacji. Grupa twierdziła w 2019 roku, że zademonstrowała urządzenie z arkuszem widłowym i osiągnęła albo 10% wzrost prędkości przy iso-power, albo 24% redukcję mocy przy iso-speed w porównaniu z tradycyjnym urządzeniem z nanoarkuszem. Każdemu z tych przyrostów towarzyszy poprawa zagęszczenia o 20%, które poprawia się do 30% dla SRAM.

Brzmi to naprawdę obiecująco, ale by ocenić realny wpływ tej technologii na gotowe produkty, musimy uzbroić się jeszcze w sporo cierpliwości

Zobacz także:

• RTX 3050 nie nadaje się do kopania Ethereum. Sklepowe ceny to jakiś absurd...
• Jak Polacy niszczą smartfony. Jedno zgłoszenie co dwie minuty
• Niemcy: Telegram ma współpracować, albo zniknie z Google Play i Apple Store