Samsung prezentuje GDDR6W. Pamięci na poziomie HBM2E do kart graficznych (i nie tylko)

Samsung zaprezentował zupełnie nowy typ pamięci GDDR6, który podwaja pojemność pakietu DRAM i zwiększa szerokość interfejsu, aby podwoić szczytową przepustowość. Pamięci GDDR6W koreańskiego producenta wykorzystują tradycyjne obudowy BGA i mogą być używane w popularnych zastosowaniach, takich jak high-endowe karty graficzne.

Współczesne chipy GDDR6 i GDDR6X integrują jeden chip DRAM z 32-bitowym interfejsem. Z kolei pamięć GDDR6W zawiera dwa chipy DRAM wyposażone w dwa 32-bitowe interfejsy, co podwaja pojemność (z 16 Gb do 32 Gb na układ), a także szerokość interfejsu (z 32-bitowego do 64-bitowego). W tym celu układy GDDR6W wykorzystują autorską technologię Samsunga o nazwie Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), która zastępuje tradycyjną płytkę drukowaną warstwą redystrybucji (redistribution layer, w skrócie RDL), która jest cieńsza i ma znacznie drobniejsze schematy okablowania.

Urządzenia z GDDR6W generalnie używają tych samych protokołów co GDDR6, ale oferują wyższą wydajność i pojemność. Na przykład układ pamięci GDDR6W o pojemności 32 GB może zapewnić szczytową przepustowość 176 GB/s, w porównaniu z 88 GB/s w przypadku zwykłego układu SGRAM GDDR6. Tymczasem zbudowanie układu pamięci 32 Gb przy użyciu dwóch kości pamięci 16 Gb może być tańsze niż zbudowanie monolitycznej kości o pojemności 32 Gb.

Producent twierdzi, że zastosowanie FOWLP pozwala na zmniejszenie grubości GDDR6W z 1,1 mm do 0,7 mm w przypadku standardowych układów GDDR6, co ułatwia ich schładzanie. Chociaż zdrowy rozsądek mówi, że obudowa FOWLP jest droższa niż tradycyjna BGA, nie wiemy, o jakiej różnice tu mówimy. Należy jednak zauważyć, że pamięć GDDR6W firmy Samsung powinna być tańsza niż pamięć o dużej przepustowości, taka jak HBM2E, zarówno pod względem produkcji, jak i wykorzystania, ponieważ GDDR6W nie wymaga stosowania drogich interposerów.

Samsung twierdzi, że 512-bitowy podsystem pamięci GDDR6W (który wykorzystuje osiem chipów) może zapewnić przepustowość na poziomie systemu do 1,40 GB/s przy szybkości przesyłania danych 22 GT/s. Z kolei 4096-bitowy podsystem pamięci HBM2E oferuje do 1,60 TB/s przy szybkości przesyłania danych 3,2 GT/s, ale za znacznie wyższą cenę.

Samsung ustandaryzował swoją technologię GDDR6W w drugim kwartale 2022 r. Następnie firma planuje wykorzystać GDDR6W w sztucznej inteligencji, wysokowydajnych akceleratorach obliczeniowych i urządzeniach takich jak notebooki. Chociaż AMD i NVIDIA nie obsługują jeszcze GDDR6W, Samsung twierdzi, że planuje współpracować ze swoimi „partnerami GPU” w tym zakresie. 

„Dzięki zastosowaniu zaawansowanej technologii opakowania w GDDR6, GDDR6W zapewnia dwukrotnie większą pojemność i wydajność w porównaniu z pakietami o podobnej wielkości” — powiedział CheolMin Park, wiceprezes ds. planowania nowego biznesu w firmie Samsung Electronics Memory Business. „Dzięki GDDR6W jesteśmy w stanie wspierać zróżnicowane produkty pamięci, które mogą zaspokoić różne potrzeby klientów – to ważny krok w kierunku zapewnienia sobie pozycji lidera na rynku”.