Samsung zapowiada DDR5 korzystające z EUV. Premiera w przyszłym roku

Samsung pochwalił się, że jasko pierwszy opracował pamięci DRAM wykonane w litografii 10 nm (D1x) DDR4 (Double Date Rate 4) wykorzystujące technologię ekstremalnie dalekiego ultrafioletu (EUV). Koreański gigant jest więc prekursorem, jeśli chodzi o wykorzystanie tej techniki w DRAM i dostarczył swoim partnerom już milion tego typu modułów. Co więcej, Samsung zdaje się być mocno oddany EUV, gdyż zamierza wykorzystywać tę technologię w przyszłości. Producent zapowiedział także, że spodziewa się rozpoczęcia masowej produkcji swoich pamięci DDR5 (D1a) oraz LPDDR5 już w przyszłym roku. Te mają podwoić efektywność produkcyjną 12-calowych wafli D1x. Te nadchodzące kości RAM D1a będą czwartą generacją 10 nm klasy DRAM Samsunga i produkowane będą z wykorzystaniem techniki EUV.

Mówiąc w skrócie, pamięci RAM DDR5 od Samsunga, wykorzystujące EUV, zadebiutują w 2021 roku.  

Technologia produkcji z wykorzystaniem ekstremalnie dalekiego ultrafioletu jest relatywnie nowa i pozwala na większe zagęszczenie litografii z wykorzystaniem mniejszej liczby mask i etapów produkcyjnych. Najważniejsze z naszego punktu widzenia, że przekłada się ona na krótszy czas produkcyjny i większe uzyski. Użyliśmy określenia „relatywnie nowa”, ponieważ kilku innych producentów testuje to rozwiązanie od jakiegoś czasu. Dla przykładu, AMD zamierza z niej skorzystać w 7 nm procesorach Zen 3, które zadebiutują pod koniec tego roku. Z oklei architektura Zen 4 wykorzystywać ma już 5 nm litografię od TSMC, która zadebiutować powinna na początku przyszłego roku. Oznaczać to może, że w 2021 roku możemy doczekać się procesorów Ryzen 5000 wykorzystujących EUV w 5 nm oraz wspierających pamięci RAM DDR5 (także bazujące na EUV).   

To jednak tylko spekulacje i producenci mogą chcieć nieco dłużej się wstrzymać zanim zdecydują się na wsparcie nowej generacji pamięci DRAM w konsumenckim segmencie. Niezależnie od tego, Samsung zdaje się być mocno podekscytowany możliwościami jakie daje technologia EUV i Jung-bae Lee, wiceprezes wykonawczy działu DRAM Product and Technology, stwierdził: „Ten duży postęp w produkcji podkreśla nasz wkład w globalną innowację IT, poprzez regularne dostarczanie przełomowych technologii procesu technologicznego i nowych generacji produktów z zakresu pamięci dla rynku premium”. Czekamy więc do przyszłego roku, mając nadzieję na przełom w segmencie pamięci RAM.