UltraRAM otrzymuje 1,1 mln funtów na rozwój pamięci mogących przechowywać informacje przez 1000 lat

Quinas Technology chce wprowadzić nową technologię pamięci o nazwie UltraRAM, która może przechowywać informacje przez 1000 lat. Technologia ta ma połączyć zalety pamięci DRAM i Flash, rozwiązując problem ulotności i wydajności.

Zaletą pamięci DRAM jest duża szybkość i żywotność (w zasadzie nieograniczona liczba zapisów), są to jednak pamięci ulotne, dlatego należy je stale odświeżać, aby zachować informacje. Z kolei pamięci flash są nieulotne, więc nie potrzebują tego napięcia do przechowywania, jednak nie są tak szybkie, a wraz ze wzrostem liczby bitów na komórkę pamięci maleje również czas przechowywania, więc nie jest także problem długoterminowego przechowywania (w przypadku QLC jest to rzędu miesięcy). Pamięci UltraRAM firmy Quinas Technology powinny rozwiązać ten problem, a wsparcie finansowe rządu brytyjskiego za pośrednictwem Innovate UK powinno przyczynić się do tego, aby wszystko zakończyło się pomyślnie. Kwota ta wynosi 1,1 miliona funtów brytyjskich. Z laboratoriów i pierwszych prototypów powinny jednak w końcu te powinny trafić do prawdziwej produkcji, jednak to wciąż odległe plany.

Mieliśmy już kilka pamięci, które powinny łączyć zalety DRAM i Flash. Jak na razie żaden z pomysłów nie trafił do mainstreamu (Intel Optane był dość blisko). 

Krążą pogłoski, że UltraRAM wytrzymuje 10 milionów cykli ponownego zapisu (dzisiejszy Flash ma zwykle około 600-700) i przechowuje dane bez zasilania przez 1000 lat. Powinny być także energooszczędne. Energia do przepisania bitu na jednostkę powierzchni (niestety nie znamy gęstości, a ta może być o rząd wielkości mniejsza) powinna być 10 000 razy mniejsza niż w przypadku innych konkurencyjnych rozwiązań, 1000 razy mniejsza niż Flash i 100 razy mniej niż RAM.

Technologia UltraRAM opiera się na wyjątkowo cienkich warstwach InAs/AlSb, tworzących strukturę TRBT (Triple-Barrier Resonant-Tunnelling). Przełączanie pomiędzy stanami zablokowanym i odblokowanym następuje po podaniu napięcia 2,5 V, a pamięci są zbudowane na półprzewodnikach typu III-V.