UltraRAM wreszcie staje się rzeczywistością. Przechowa dane przez tysiąc lat

Po latach badań i spekulacji technologia UltraRAM wreszcie zaczyna nabierać realnych kształtów. W tym roku firma IQE plc, jeden z czołowych dostawców zaawansowanych substratów półprzewodnikowych, zakończyła roczny projekt, którego celem było opracowanie skalowalnego procesu epitaksji dla tej nowej pamięci. CEO spółki, Jutta Meier, określiła ten krok mianem „kamienia milowego” na drodze do produkcji przemysłowej.

Łączenie pamięci o dostępie swobodnym (RAM) i pamięci masowej nie jest nowym pomysłem, ale jak dotąd żadnej firmie nie udało się zmaterializować tego pomysłu w odnoszący sukcesy, szeroko stosowany komercyjny produkt. Nie oznacza to jednak, że porzucono ten pomysł i wygląda na to, że UltraRAM jest już naprawdę bliskie komercjalizacji.

UltraRAM od początku wzbudza ogromne zainteresowanie, ponieważ obiecuje połączenie zalet RAM i NAND w jednym rozwiązaniu i to bez ich wad.

Uniwersalna pamięć?

UltraRAM od początku wzbudza ogromne zainteresowanie, ponieważ obiecuje połączenie zalet RAM i NAND w jednym rozwiązaniu i to bez ich wad. W teorii ma to być pamięć o szybkości DRAM, nieulotności flash, wyjątkowej żywotności i wysokiej efektywności energetycznej.

Prototyp UltraRAM sprzed kilku lat wyglądał obiecująco: oferował nawet 1000 lat przechowywania danych oraz ponad 10 milionów cykli zapisu/wymazywania, czyli około 100 razy więcej niż współczesne pamięci flash. Nic dziwnego, że technologia doczekała się określenia „pamięć uniwersalna”.

Nieudane próby konkurencji

Jeśli chodzi o wcześniejsze próby łączenie pamięci RAM i pamięci masowej, to takowe podejmowały już takie firmy jak Intel czy Samsung. Intel rozwijał platformę Optane, ale ostatecznie porzucił ją w 2022 roku z powodu braku opłacalności. Samsung z kolei odświeżył swoją linię Z-NAND, starając się wypełnić lukę na rynku.

W 2020 roku Kioxia i Western Digital ogłosiły projekt XL-FLASH, czyli konkurenta dla Optane. Najnowsze efekty tych prac mogliśmy zobaczyć na Computex 2025, gdzie zaprezentowano nośnik SSD PCIe 5.0 osiągający imponujące parametry: do 14 GB/s odczytu sekwencyjnego, 12 GB/s zapisu, a także 3,5 mln IOPS przy odczycie losowym.

Co dalej z UltraRAM?

Twórca technologii, firma Quinas, współpracuje obecnie z fabrykami półprzewodników i strategicznymi partnerami, by uruchomić produkcję pilotażową. Choć sukces nie jest jeszcze pewny (komercjalizacja to najtrudniejszy etap), widać tu sporą determinację, co już jest pozytywnym prognostykiem. 

Jeśli UltraRAM przejdzie do masowej produkcji i utrzyma parametry obiecywane w prototypach, możemy być świadkami jednej z największych rewolucji w historii pamięci komputerowych. Taki skok technologiczny miałby wpływ nie tylko na rynek PC i serwerów, ale też na urządzenia mobilne, Internet Rzeczy czy sztuczną inteligencję, gdzie szybkość i energooszczędność pamięci mają kluczowe znaczenie.