Analiza elektroniki Gigabyte GP-UD1000GM PG5 (strona pierwotna)
Etap filtrowania zaczyna się na wtyku zasilania, gdzie bezpośrednio do niego przylutowano niewielkie PCB z dwoma kondensatorami ceramicznymi typu Y (niebieskie) i jednym Cx. Dodatkowo na przewodach AC mamy dławik ferrytowy.
Kolejny etap filtrowania znajduje się na głównym laminacie, gdzie mamy:
- kolejne dwa kondensatory ceramiczne Cy,
- dwie cewki z rdzeniem ferrytowym,
- warystor,
- kondensator poliestrowo-metalizowany typu X (żółty).
Etap filtracji napięcia wejściowego jest dobry. Za tą sekcją znajduje się radiator z dwoma 15-amperowymi mostkami prostowniczymi GBU 1506, które są dodatkowo chłodzone radiatorem.
W układzie APFC mamy dwa wysokonapięciowe kondensatory filtrujące japońskiej Nippon Chemi-Con serii KMW, o pojemności 1000 µF na 400 V i certyfikowane do pracy przy maksymalnej temperaturze 105 °C. Ich żywotność wynosi 2000 godzin.
W układzie aktywnego PFC znajdziemy trzy MOSFETy Wuxi New Clean Energy NCE65TF099. Cechują się one parametrem RDS(on) na poziomie 89 mΩ i mogą dostarczyć do 38 A w trybie ciągłym przy 25 °C. Ponadto mamy jedną 10-amperową diodę Schottky’ego STPSC10H065.
Za sekcją kluczowania mamy elementy układu rezonansowego, zaraz pod transformatorem termistor NTC i przekaźnik obejściowy jako zabezpieczenie przed dużymi prądami rozruchowymi.
Na kolejnym radiatorze zainstalowano cztery tranzystory kluczujące działające w topologii pół mostu Wuxi New Clean Energy NCE65TF099. Cechują się one parametrem RDS(on) na poziomie 89 mΩ i mogą dostarczyć do 38 A w trybie ciągłym przy 25 °C.
Kontroler PFC Champion CM6500UNX umiejscowiono na rewersie PCB. Kontroler rezonansowy CM6901X znajduje się na stronie lutowania.
Za radiatorem znajduje się kontroler PWM układu 5 Vsb PR8109T. Za obwód 5 Vsb odpowiada 10-amperowa dioda JF Semiconductor SP10U45L-T SBR
Pokaż / Dodaj komentarze do: Gigabyte GP-UD1000GM - test zasilacza z PCI-E 5