Aktualizacja wielkiego testu pamięci RAM: konkluzje
Zaczynając od pojedynku kości po zaaplikowaniu overclockingu, najsłabiej wypadły oczywiście Samsung B-Die w taniej wersji BCRC. Wynika to z niczego innego jak bardzo luźnych opóźnień, które były wymagane, aby uzyskać stabilność przy zegarze 3733 MHz, czyli dla większości procesorów AMD Ryzen 3. generacji optymalnym, jako że powyżej tego pułapu na ogół trzeba przejść do asynchronicznych ustawień DRAM/IF, od strony osiągów niezbyt korzystnych, z uwagi na spory skok czasu dostępu. I mowa tutaj zarówno o timingach podstawowych, jak i tych dalszych rzędów, włączając w to tRFC, który ma naprawdę duże znaczenie z punktu widzenia wydajności. Nieco lepiej poradziły sobie Hynix CJR oraz Micron D9WFL (Rev. E), przy czym patrząc tylko na tę dwójkę, minimalnie korzystniej zaprezentowały się te pierwsze. To efekt właśnie większej skłonności CJR do akceptacji zacieśnionych wartości wspomnianego tRFC, czego bardziej agresywne wartości tWRWRSCL/tRDRDSCL nie potrafiły nadrobić. "Prawdziwe" Samsung B-Die naturalnie startują w swojej własnej lidze, robiąc porządek z konkurencją w sposób niepozostawiający złudzeń, kto tu rządzi. W ramach ciekawostki dodam jeszcze, że wśród tanich chipów jedynie Micron D9WFL mogą pochwalić się przyzwoitym skalowaniem z napięciem (poza tRCD, gdzie zawsze natrafimy na ścianę), podczas gdy w przypadku pozostałej dwójki efekt był wręcz odwrotny i podnoszenie woltażu powodowało tylko utratę stabilności.
Testy jasno pokazały, że król jest wciąż tylko jeden – Samsung B-Die. Natomiast to, czy różnica jest warta dopłaty, pozostaje w gestii nabywcy.
Ranking pamięci RAM oraz polecane zestawy klasy 2666-3600 MHz
Czy mamy kolejne warte uwagi moduły?
Przechodząc do zestawów marki G.SKILL, trzeba jasno powiedzieć, że nie pokazały one niczego interesującego. Jeśli chodzi o wydajność przy parametrach fabrycznych, jest zgodna z oczekiwaniami, tj. tym, gdzie na wykresach byśmy je umieścili patrząc wyłącznie na informacje z etykiety z danymi technicznymi. Bez fajerwerków było za to podczas prób podkręcania, a to z uwagi na wykorzystywane przez nie kości – Hynix AFR i Samsung B-Die BCRC (w kolejności alfabetycznej). Niemniej warto zwrócić uwagę na relatywną dyspozycję dzisiejszych bohaterów w odniesieniu do innych produktów na tych samych chipach. Co ciekawe, przy takim spojrzeniu na sprawę Aegis okazują się w swojej klasie bezsprzecznie najlepsze, zaś Ripjaws V najgorsze. W tym pierwszym wypadku stało się tak dlatego, że trafiły się naprawdę dobre AFR ze świetną tolerancją na podnoszenie napięcia, co wcale nie jest dla tych kości gwarantowane. To wszystko po prostu nic więcej jak kwestia przypadku i przy innym losowaniu sampli omawiane relacje mogłyby wyglądać zupełnie inaczej. Jednocześnie rezultaty dobrze pokazują, że nie ma żadnego uniwersalnego przepisu na dobrze działające oraz wydajne OC i de facto nawet skorzystanie z ustawień wyszczególnionych na trzeciej stronie wyłącznie w formie wskazówki nie musi prowadzić do niczego dobrego. Recepta jest jedna - na spokojnie wybadać posiadane moduły, ich zachowanie i w oparciu o tę wiedzę szukać optymalnych parametrów. A czy Wam się będzie chciało, to już oczywiście zupełnie inna kwestia :)
*Pełne oceny końcowe znajdziecie na stronach poświęconych poszczególnym zestawom, gdzie odsyłam zainteresowanych.
Pamięci G.SKILL do testów dostarczył:
Pokaż / Dodaj komentarze do: Wielki test pamięci RAM - pojedynek kości po OC oraz zestawy G.SKILL