Analiza wnętrza
Za chłodzenie elektroniki ASUS TUF Gaming 1200P odpowiada 135-milimetrowy wentylator Hong Hua HA13525M12B-Z z podwójnym łożyskiem kulkowym (Dual Ball Bearing). Wentylator pracuje w trybie ciągłym, ponieważ producent nie przewidział chłodzenia półpasywnego.
Wnętrze ASUS TUF Gaming 1200P prezentuje się interesująco, szczególnie biorąc pod uwagę kompaktowe wymiary obudowy wynoszące 150 x 150 x 86 mm i moc znamionową 1200 W. Elektronikę rozmieszczono na głównym laminacie oraz kilku dodatkowych płytkach PCB. Do chłodzenia elementów mocy wykorzystano rozbudowane aluminiowe radiatory anodowane na czarno, na których umieszczono oznaczenia TUF Gaming. Po stronie wejściowej znajdziemy filtr EMI, sekcję prostowania napięcia sieciowego i aktywnej korekcji współczynnika mocy APFC.
W górnej części laminatu umieszczono dwa wysokonapięciowe kondensatory filtrujące, w centralnej transformator główny oraz radiatory elementów SR. Przy panelu modularnego okablowania znajdują się dodatkowe kondensatory odpowiedzialne za filtrację napięć wyjściowych.
Jednym z najciekawszych rozwiązań zastosowanych w ASUS TUF Gaming 1200P jest tranzystor GaN MOSFET, czyli element wykonany z azotku galu. Producent deklaruje również wykorzystanie komponentów klasy militarnej, w tym kondensatorów przystosowanych do pracy w temperaturze 105 °C. Elektronikę dodatkowo zabezpieczono specjalną powłoką ochronną PCB, która ma ograniczać wpływ wilgoci, kurzu i innych zanieczyszczeń. Szczegółowe oznaczenia zastosowanych półprzewodników, kondensatorów i kontrolerów przedstawiono w poniższej tabeli.
|
ASUS TUF Gaming 1200P |
|
|---|---|
| Producent OEM | Great Wall |
| Topologia | Półmostkowa, LLC, SR + DC-DC |
| Strona pierwotna | |
| Filtr EMI | Kondensatory 4x Cy, 2x Cx, 2x cewka z rdzeniem ferrytowym, 1x warystor (MOV), bezpiecznik rurkowy |
| Zabezpieczenie przed prądami rozruchowymi | 1x termistor NTC + przekaźnik obejściowy |
| Prostowanie | 2 x Yangzhou Yangjie GBU2508 (800 V, 25 A @ 98 °C) |
| Tranzystory APFC | 2x Renesas TP65H035G4YS (650 V, 29,5 A @ 100 °C, Rds(on): 41 mΩ) |
| Dioda podnosząca napięcie APFC | 1x CREE C3D16065D (650 V, 8 A @ 150 °C) |
| Kondensator główny | 2x Elite (420 V, 470 µF, 2,000 h @ 105 °C, PL) |
| Sekcja kluczowania | brak możliwości identyfikacji |
| Kontrolery APFC, PWM, LLC | Champion CM6502UHHX, Champion CM6901X |
| Kontrolery MOSFETów | 1x Novosense NSi6602BD |
| Strona wtórna | |
| Tranzystory prostownika 12 V | 6x Toshiba BSC007N04LS6 (600 V, 269 A @ 100 °C, Rds(on): 0,7 mΩ) |
| DC-DC | Tranzystory - 4x AP AP4024GEMT (30 V, 70 A @ 70 °C, Rds(on): 4,5 mΩ) PWM kontroler: ANPEC APW7159C |
| Kondensatory strona wtórna | Elektrolityczne: Elite (3000 h, 105 °C, EJ) Aluminiowo-polimerowe: Teapo, FPCAP + inne (105 °C) |
| Układ zabezpieczeń | Weltrend WT7681P + INA2180A3 – dwu kanałowy wzmacniacz pomiarowy prądu |
| Układ chłodzenia | Hong Hua HA13525M12B-Z, 135 mm, Dual Ball Bearing (12 V, 0,36 A), praca ciągła, bez trybu półpasywnego |
| Obwód 5VSB | |
| Tranzystor/dioda/kontroler | 1x DMT6005LSS (60 V, 10,8 A @ 70 °C, Rds(on): 6 mΩ) |
Jednostka bazuje na platformie Great Wall. Jakość lutowania jest dobra nie mam większych zastrzeżeń.
Pokaż / Dodaj komentarze do:
Wzięli technologię z ładowarek do telefonów i zrobili potwora. Test ASUS TUF Gaming 1200P