Analiza elektroniki MSI MPG A850GF (strona wtórna)
Na stronie wtórnej znajdziemy wyłącznie japońskie kondensatory elektrolityczne od Nippon Chemi-Con, a także kondensatory aluminiowo-polimerowe produkcji Chemi-Con i Nichicon. Wszystkie certyfikowane są do pracy przy maksymalnej temperaturze 105 °C, co powinno zapewnić długie i bezawaryjne działanie zasilacza.
W MSI MPG A850GF za prostowanie szyny +12 V odpowiada sześć tranzystory MOSFET Infineon IPB014N06N. Parametr RDS(on) typowo wynosi 1,4 mΩ. Jeden element jest w stanie dostarczyć do 180 A w trybie ciągłym przy 25 °C, więc można się spodziewać dużego zapasu mocy. Dodam jeszcze, że tranzystory nie posiadają dodatkowego chłodzenia obudowy przez termopad, tylko niewielkie dwie blaszki na awersie laminatu.
Konwertery DC-DC napięć +3,3 V oraz +5 V znajdują się na osobnej PCB, tuż przy płytce modularnego okablowania. Mamy tutaj cztery tranzystory MOSFET dwa UBIQ QM3006D, których parametr RDS(on) typowo wynosi 5,5 mΩ i może dostarczyć do 80 A w trybie ciągłym przy 25 °C oraz dwa UBIQ QM3016D. Parametr RDS(on) typowo wynosi 4 mΩ. Jeden element jest w stanie dostarczyć do 96 A w trybie ciągłym przy 25 °C. Na laminacie przetwornic DC-DC znajduje się również synchroniczny kontroler PWM ANPEC APW7159C
Nad bezpieczeństwem czuwają dwa układy scalone (wymuszone przez zastosowanie podział na 4 linie +12 V) Sitronix ST9S429-PG14 oraz Weltrend WD7518D, które monitoruje pracę zasilacza i inicjują zaimplementowane zabezpieczenia po przekroczeniu ustalonych wartości.
Aby poprawić jakość napięć oraz zredukować ilość połączeń kablowych, płytka ze złączami modularnymi przylutowana jest bezpośrednio do głównego laminatu. Na awersie laminatu wlutowano dodatkowe kondensatory elektrolityczne i aluminiowo-polimerowe, oczywiście wszystkie produkcji japońskiej firmy Nichicon.
Pokaż / Dodaj komentarze do: Premierowy test zasilacza MSI MPG A850GF - kolejny mocny konkurent wkracza na rynek