Radiatory i plastikowe osłony zdjęte, cała operacja przebiegła bez większych komplikacji. Czas więc przejść do analizy poszczególnych komponentów, które dotychczas schowane był pod elementami chłodzącymi.
Sekcja zasilania to klasyka świetnie znana z LGA 2011-3. Mamy osiem faz dla rdzeni, gdzie na każdą z nich przypada pojedynczy MOSFET o oznaczeniu IR3555M, będący tak naprawdę parą MOSFET-ów wraz ze sterownikiem w pojedynczej obudowie. Każda sztuka IR3555M potrafi dostarczyć prąd o natężeniu dochodzącym do 60 A (w trybie ciągłym przy 25 °C). Kontroler PWM to ASP1405I, będący najpewniej rebrandowanym IR35201 lub IR3580. Obsługuje on natywnie osiem faz, tak więc nie było potrzeby wykorzystywania podwajaczy. Kwestię SOC rozwiązano za pomocą trzech faz, gdzie na każdą z nich przypada po sztuce CSD97374Q4M produkcji Texas Instruments. Pojedynczy tranzystor tego typu jest w stanie dostarczyć prąd o natężeniu dochodzącym do 25/60 A (w trybie ciągłym/impulsowym przy 25 °C). Kontroler PWM to ponownie ASP1405I. Jeśli o pamięci chodzi, to mamy po dwie fazy na parę kanałów (czyli łącznie cztery), gdzie na każdą z nich przypadają dwa MOSFET-y o niewiele mówiących oznaczeniach "G4 GUB 5T1K04". Kontrolery PWM dla RAM to dwie sztuki ASP1103.
Chipset X399 został umieszczony w standardowej lokalizacji, czyli w bezpośrednim sąsiedztwie portów SATA. Producent nie zastosował w tym przypadku pasty termoprzewodzącej, tylko termopad, który ma wspomagać odbiór ciepła.
Układ chłodzenia sekcji zasilania składa się z dwóch radiatorów, połączonych pojedynczym ciepłowodem. Ten stykający się bezpośrednio z MOSFET-ami przypomina bardziej "bloczek", ale drugi ma już typowe finy oraz dodatkowo przytwierdzony wentylator 40 mm, który potrafi rozpędzić się do około 8000 RPM, generując przy tym spory hałas. Jak taka wybuchowa mieszanka sprawdzi się w praktyce? O tym przekonacie się niebawem.
Pokaż / Dodaj komentarze do: Test płyt ASUS PRIME X399-A oraz GIGABYTE X399 AORUS Gaming 7